产品简介
即时雷速足球比分C4封装将整流桥与全控型 H 桥逆变与辅助电路高度集成的先进功率半导体器件，被誉为电力电子设备的“功率心脏”，改变了传统功率电路的设计范式，打破传统功率器件的性能边界，以高度集成的设计重塑能效标准，为工业领域提供兼具成本与性能的核心解决方案，电流等级涵盖50A~200A。
产品图
三相整流+H桥拓扑
三相整流+H桥模块核心优势
n 技术优势
1、电压利用率高，功率输出能力强：单相 H 桥在相同直流母线电压下，可输出更高的交流电压与额定功率；在同等输出功率要求下，可降低直流母线电压等级，减小母线电容的耐压应力与系统成本。
2、支持四象限运行，能量双向流动：依托 IGBT 的全控特性与反并联续流二极管，H 桥可实现负载与直流母线间的双向能量流动：既可以工作在逆变模式（DC→AC）驱动负载，也可以工作在整流回馈模式（AC→DC），将负载的制动能量、再生能量回馈至直流母线，适配伺服电机、不间断电源、高功率转换器等场景。
n 工程应用优势
3、高功率密度，缩减整机体积：将三相整流、H 桥逆变、温度传感单元集成在单一封装内，大幅减少分立器件的布线空间与外围配套器件数量，显著提升整机功率密度，适配小型化、紧凑型的设备设计需求。
4、统一散热与精准测温，保护可靠性高：所有功率器件共用同一绝缘导热基底，散热设计更简洁统一；内置 NTC 热敏电阻可直接监测模块核心温度，精准触发过热保护，避免分立器件温度监测偏差大、保护不及时的问题。
测试数据(以1700V150A规格为例)
特性曲线（输出特性与二极管压降特性曲线）
开通关断波形
测试条件：Vcc=900V,Ic=150A,Vge=±15V,Ron=Roff=1.1Ω,Tj=25℃
短路波形
测试条件：Vcc=1000V,Vge=±15V,Ron=Roff=1.1Ω, Tsc=10us,Tj=25℃
效率测试
测试条件：Vcc=900V,Vge=-8V/15V,Ron=Roff=4.7Ω,Tj=25℃
应用领域
产品列表
|
电压（V） |
电流（A） |
产品型号 |
器件类型 |
拓扑 |
绝缘耐压(Kv) |
频率（KHz) |
封装 |
|
1700 |
50 |
XNG50PH34TC4 |
IGBT |
三相整流+H桥 |
3.4 |
<12 |
C4 |
|
75 |
XNG75PH34TC4 |
IGBT |
三相整流+H桥 |
3.4 |
<12 |
C4 |
|
|
100 |
XNG100PH34TC4 |
IGBT |
三相整流+H桥 |
3.4 |
<12 |
C4 |
|
|
150 |
XNG150PH34TC4 |
IGBT |
三相整流+H桥 |
3.4 |
<12 |
C4 |
|
|
200 |
XNG200PH34TC4 |
IGBT |
三相整流+H桥 |
3.4 |
<12 |
C4 |
